「シリコンオンインシュレーター（SOI）の世界市場（～2029）」産業調査レポートを販売開始

2025年6月11日
H&Iグローバルリサーチ（株）

*****「シリコンオンインシュレーター（SOI）の世界市場：スマートカットSOI、ボンディングSOI、レイヤートランスファーSOI、RF-SOI、パワーSOI（～2029）」産業調査レポートを販売開始 *****

H&Iグローバルリサーチ株式会社（本社：東京都中央区）は、この度、MarketsandMarkets社が調査・発行した「シリコンオンインシュレーター（SOI）の世界市場：スマートカットSOI、ボンディングSOI、レイヤートランスファーSOI、RF-SOI、パワーSOI（～2029）」市場調査レポートの販売を開始しました。シリコンオンインシュレーター（SOI）の世界市場規模、市場動向、市場予測、関連企業情報などが含まれています。

***** 調査レポートの概要 *****

1. 市場概況
世界のシリコンオンインシュレーター（SOI）市場は、2024年におよそ12億9,000万米ドルと評価され、2029年には25億5,000万米ドルに達すると予測されています。これは、予測期間中（2024～2029年）の年平均成長率（CAGR）が14.7%に達する見込みであり、半導体業界におけるSOI技術の急速な採用を示しています。SOI基板は、従来のシリコン基板と比較してトランジスタを微細化できるほか、デバイスの高集積化と性能向上を実現するため、5G通信、IoTデバイス、高機能センサーなどの次世代アプリケーションで重要視されています。一方で、SOI基板特有のフローティングボディ効果や自己発熱（セルフヒーティング）効果が、設計・製造プロセス上の課題として残っており、市場成長を一部抑制する要因となっています。
SOI技術のメリットは大きく分けて以下の3点です。
1. 高機能化・低消費電力化：絶縁層によりリーク電流が抑制され、低消費電力化が図れる。
2. 微細化適性：薄膜加工が容易であり、ナノメートル級トランジスタの形成に適する。
3. ウェハ資源の効率利用：不要なシリコンを削減でき、薄型ウェハ製造で材料コストを低減可能。
ただし、SOIデバイスではセルフヒーティングに伴う熱設計上の制約や、浮遊体効果による動作不安定性が残るため、これら課題への技術的解決も市場拡大の鍵となります。
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2. セグメントハイライト
2.1 ウェハ製造方式別
• ボンディングSOI
ボンディング技術を用いたSOIウェハは、製造コスト削減と大口径ウェハ製造が可能となるため、2024～2029年にかけて最も高いCAGRで成長すると予想されています。接合技術の進歩により、民生用電子機器や自動車向けに要求される高品質SOIウェハを低コストで供給できる点が、このセグメントの成長を牽引しています。
• スマートカットSOI／レイヤートランスファーSOI
スマートカット技術やレイヤー転送方式も、薄膜層制御の正確性と層間接合強度の向上により、ミクロン以下の薄膜SOIウェハ製造において着実に市場シェアを伸ばしています。
2.2 ウェハタイプ別
• RF-SOI
2023年にはRF-SOIウェハが市場シェアでトップに立つ見込みです。これは、スマートフォンをはじめとするワイヤレス通信機器、自動車のADAS（先進運転支援システム）、レーダーやライダーなどの車載アプリケーション、さらには民生用電子機器全般でのRF部品需要が急増していることが背景にあります。RF-SOIは低消費電力かつ高集積密度を実現し、優れたRF特性を備えるため、次世代通信インフラや自動車向け半導体の中核技術として評価されています。
• パワーSOI／FD-SOI
電力管理用途やIoTエッジデバイス向けに、パワーSOIおよびFD-SOIも成長が期待されており、特にFD-SOIは18nmプロセスなどでの採用事例が増えつつあります。
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3. 地域動向
• 欧州
2023年時点で、欧州市場が最大シェアを獲得すると見込まれています。自動車産業の先進国であるドイツ、フランス、イタリアなどが中心となり、ADASや電動車両向け電子システムへのSOI採用が活発化していることが要因です。STMicroelectronicsによる18nm FD-SOIプロセスの商業化（2024年3月実施）など、先端プロセス導入が市場拡大を後押ししています。
• 北米
米国では、5Gインフラやクラウドデータセンター向けサーバー用途、航空宇宙・防衛分野での高信頼性デバイス需要が高く、SOI市場の成長を支えています。
• アジア太平洋
中国、日本、台湾、韓国を中心に半導体製造設備の自国内回帰（リショアリング）が進む中、SOIウェハへの投資も増加中です。特に日本のSUMCOや信越化学工業、台湾のGlobalWafersなどが大規模増産計画を発表しています。
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4. プライマリー調査の内訳
本調査では、部品サプライヤーからティア1企業、OEMまで、多様な業界専門家への一次インタビューを実施し、市場動向を把握しています。内訳は以下の通りです：
• 企業レベル：ティア1企業 35%、ティア2企業 45%、ティア3企業 20%
• 役職レベル：Cレベルエグゼクティブ 40%、ディレクター層 30%、その他 30%
• 地域レベル：北米 40%、ヨーロッパ 20%、アジア太平洋 30%、その他地域 10%
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5. 主要企業と競争環境
市場をリードする主要プレイヤーとして、以下の企業が挙げられます。
• SOITEC（フランス）
• 信越化学工業株式会社（日本）
• GlobalWafers（台湾）
• 株式会社SUMCO（日本）
• Shanghai Simgui Technology Co., Ltd.（中国）
• GlobalFoundries（米国）
• STMicroelectronics（スイス）
• Tower Semiconductors（イスラエル）
• Silicon Valley Microelectronics, Inc（米国）

***** 調査レポートの目次(一部抜粋) *****

1. はじめに 22
1.1 調査目的 22
1.2 市場定義 22
1.3 調査範囲 23
1.3.1 市場セグメント化 23
1.3.2 対象範囲と除外範囲 24
1.3.2.1 企業レベルでの対象範囲と除外範囲 24
1.3.2.2 ウェハサイズレベルでの対象範囲および除外 24
1.3.2.3 製品レベルでの対象範囲および除外 24
1.3.2.4 技術レベルでの対象範囲および除外 24
1.3.2.5 用途レベルでの対象範囲および除外 24
1.3.2.6 ウェハタイプレベルでの対象範囲および除外 24
1.3.2.7 地域レベルでの対象および除外 25
1.4 対象年 25
1.5 対象通貨 25
1.6 対象単位 25
1.7 調査の限界 26
1.8 利害関係者 26
1.9 変更の概要 26
2. 調査方法 27
2.1 調査データ 27
2.1.1 二次データ 28
2.1.1.1 主要な二次情報源 28
2.1.1.2 二次情報源からの主要データ 29
2.1.2 一次データ 29
2.1.2.1 主要な一次インタビュー参加者のリスト 29
2.1.2.2 一次データの内訳 30
2.1.2.3 一次情報源からの主要データ 30
2.1.3 二次および一次調査 31
2.1.3.1 業界の主要な洞察 32
2.2 市場規模の推定 32
2.2.1 ボトムアップ・アプローチ 32
2.2.1.1 ボトムアップ分析による市場シェアの取得方法（需要側） 32
2.2.2 トップダウン分析による市場シェアの取得方法（供給側） 33
2.3 要因分析 34
2.3.1 供給側分析 34
2.3.2 成長予測 36
2.4 市場細分化とデータ・トライアングル 37
2.5 調査の前提 38
2.6 リスク評価 38
3. エグゼクティブサマリー 39
4. プレミアムインサイト 44
4.1 シリコン・オン・インシュレーター市場におけるプレイヤーにとっての魅力的な機会 44
4.2 アプリケーション別SOI市場動向（RF FEM、MEMSデバイス、光通信、画像センシングなど） 45
4.3 ウェハタイプ別SOI市場動向（RF-SOI、パワーSOI、FD-SOI） 45
4.4 技術別（ボンディングSOI、スマートカットSOI、レイヤートランスファーSOI） 46
4.5 製品別（アナログIC、デジタルIC、ミクストシグナルIC） 46
4.6 ウェハーサイズ別（200mm、300mm） 47
4.7 アジア太平洋地域：用途別・国別（日本、中国、台湾、韓国など） 47
5. 市場概要 48
5.1 はじめに 48
5.2 市場力学 48
5.2.1 促進要因 49
5.2.1.1 高性能でエネルギー効率の高いデバイスの需要増 49
5.2.1.2 5GおよびIoT技術の採用 50
5.2.1.3 ミニチュア化の必要性 50
5.2.1.4 電気自動車およびスマート自動車システムの需要 50
5.2.2 抑制要因 53
5.2.2.1 世界的な半導体チップの不足 53
5.2.2.2 代替半導体技術の利用可能性 53
5.2.3 機会 54
5.2.3.1 エネルギー効率と持続可能性への注力 54
5.2.3.2 継続的な技術進歩 55
5.2.4 課題 56
5.2.4.1 デバイスの限界（セルフヒーティング、フローティングボディ効果） 56
6. ウェハ製造方式別市場分析
6.1 はじめに
6.2 ボンディングSOI
6.2.1 技術概要とプロセスフロー
6.2.2 メリット・デメリット比較
6.2.3 主要プレイヤーと設備動向
6.3 スマートカットSOI
6.3.1 スマートカット技術の進化
6.3.2 大口径ウェハへの適用状況
6.4 レイヤートランスファーSOI
6.4.1 レイヤー転送方式のバリエーション
6.4.2 コスト構造と市場ポテンシャル
7. ウェハタイプ別市場分析
7.1 RF-SOI
7.1.1 RF特性と応用分野
7.1.2 端末・基地局市場での採用事例
7.2 パワーSOI
7.2.1 電力デバイスへの応用
7.2.2 高電圧領域での性能要件
7.3 FD-SOI
7.3.1 プロセスノード対応状況
7.3.2 民生向けマイクロコントローラ採用動向
8. アプリケーション別市場分析
8.1 RF FEM（フロントエンドモジュール）
8.1.1 5Gスマートフォンへの搭載状況
8.1.2 自動車（ADAS、V2X）での利用拡大
8.2 MEMSデバイス
8.2.1 センサ市場との親和性
8.2.2 ウェハ共製造のトレンド
8.3 光通信モジュール
8.3.1 データセンター向けフォトニクス用途
8.4 画像センシングデバイス
8.4.1 イメージセンサ基板への最適化技術
8.5 その他（産業用、医療用など）
9. エンドユーザー別市場分析
9.1 自動車産業
9.1.1 電動車両制御ユニットへの応用
9.1.2 ADAS/自動運転システム向け需要
9.2 軍事・防衛
9.2.1 レーダー・通信機器での採用要件
9.3 民生用電子機器
9.3.1 スマート家電／ウェアラブル市場動向
10. 地域別市場分析
10.1 北米
10.1.1 米国：5Gインフラ／データセンター需要
10.1.2 カナダ：研究開発ハブ化の動き
10.2 欧州
10.2.1 ドイツ：自動車エレクトロニクス市場
10.2.2 フランス／イタリア：半導体国家戦略
10.3 アジア太平洋
10.3.1 日本：SUMCO／信越化学の投資計画
10.3.2 中国：リショアリングと内製化推進
10.3.3 台湾・韓国：主要ファウンドリ動向
10.4 中東・アフリカ
10.4.1 医療ツーリズム・防衛用途
10.5 南米
10.5.1 ブラジル／メキシコ：政府支援政策
11. 競合環境分析
11.1 主要企業プロファイル
11.1.1 SOITEC（フランス）
11.1.2 信越化学工業（日本）
11.1.3 GlobalWafers（台湾）
11.1.4 SUMCO（日本）
11.1.5 Shanghai Simgui Technology（中国）
11.2 企業戦略分析
11.2.1 技術提携・ライセンシング契約
11.2.2 M&Aおよび合弁事業
11.3 市場シェア比較
11.4 参入障壁および競争激化要因
12. 市場予測および将来展望
12.1 世界市場予測（2024～2029年）
12.2 セグメント別予測
12.2.1 ウェハ製造方式別
12.2.2 ウェハタイプ別
12.2.3 アプリケーション別
12.3 リスク要因とシナリオ分析
12.4 技術進化ロードマップ
13. 付録
13.1 質問ガイド（Discussion Guide）
13.2 用語集
13.3 略語一覧
13.4 調査会社情報
14. カスタマイズオプション & KnowledgeStore
14.1 カスタマイズレポートサービス
14.2 KnowledgeStoreアクセス
14.3 追加リサーチ・オプション

※「シリコンオンインシュレーター（SOI）の世界市場：スマートカットSOI、ボンディングSOI、レイヤートランスファーSOI、RF-SOI、パワーSOI（～2029）」調査レポートの詳細紹介ページ
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