【半導体】多光子顕微鏡を用いた半導体結晶における欠陥の非破壊可視化

2022年4月22日

徳島大学　ポストLEDフォトニクス研究所　　特任助教　長谷　栄治共同研究者：徳島大学　ポストLEDフォトニクス研究所　准教授　永松　謙太郎

■概要

半導体結晶中の欠陥である貫通転位は発光・電子デバイスの特性に悪影響を及ぼすことが知られている。低転位密度の結晶の製造のためには、これらの密度や分布を詳細に可視化することが望まれるが、電子顕微鏡等を用いた従来の観察手法では、非破壊かつ３次元で転位の分布を観察することが困難であった。そこで、我々は、２光子励起によって起こる発光の強度を画像コントラストとして可視化する“多光子顕微鏡”を構築し、GaN結晶中の観察に応用した。その結果、同結晶中における貫通転位の非破壊での3次元分布の可視化に成功した。

■活用例

・半導体結晶の出荷前品質評価
・同結晶の製造方法改良/最適化のための品質評価

■お問い合わせ

徳島大学　ポストLEDフォトニクス研究所事務室
E-mail:postled@tokushima-u.ac.jp
TEL:088-656-9701
FAX:088-656-9864
URL:https://www.pled.tokushima-u.ac.jp/

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